IT之家 4 月 12 日音讯，据韩媒 Hankyung 报谈，最快于本月晚些时期杀青第 9 代 V-NAND 闪存的量产。
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三星高管 Jung-Bae Lee 客岁 10 月暗示，其下一代 NAND 闪存将于“本岁首”量产，领有业界向上的堆叠层数。
三星于 2022 年 11 月量产了 236 层第 8 代 V-NAND，这意味着两代之间的拒绝为一年半傍边。
▲三星第 8 代 V-NAND 闪存
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皇冠新网址Hankyung 称第 9 代 V-NAND 闪存的堆叠层数将是 290 层，不外IT之家早前报谈中提到，三星在学术会议上展示了 280 层堆叠的 QLC 闪存，该闪存 IO 接口速度达到 3.2GB/s。
三星在第 9 代 V-NAND 上将沿用双闪存堆栈的结构，以杀青更简短的工序和更低的制酿老本。而在瞻望来岁推出的第 10 代 V-NAND 闪存上，三星将换用三堆栈结构。
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新的结构将进一步栽培 3D 闪存的最大可能堆叠层数，不外也会在堆栈对王人方面引入更多的复杂性，SK 海力士来岁量产的 321 层 NAND 闪存就将使用这一结构 。
博彩代理有多大利润正规博彩平台送彩半导体行业不雅察机构 TechInsights 暗示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步栽培堆叠方面的上风。